Revue de Physique Appliquée

Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

P. Rossel, H. Tranduc, J. Graffeuil, C. Azizi, G. Nuzillat et G. Bert

Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 10 (1978) 503-512

DOI: 10.1051/rphysap:019780013010050300

P. Rossel

H. Tranduc

J. Graffeuil

C. Azizi

G. Nuzillat

G. Bert

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