Revue de Physique Appliquée

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni et P.N. Favennec

Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 10 (1989) 983-991

DOI: 10.1051/rphysap:019890024010098300

A. Le Bloa

Dang Tran Quan

Z. Guennouni

P.N. Favennec

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