Réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction (DHBT) GaAlAs/GaAs pour circuits intégrés I2L J.P. Bailbé, T. Camps, A. Cazarre, J. Jamai, A. Martins, A. Marty, G. Rey, J. Tasselli et J.P. Vannel Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 2 (1989) 171-176 DOI: 10.1051/rphysap:01989002402017100