Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 989-994 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001207098900

Propriétés diélectriques des couches minces polycristallines Zn 1-xCdxs, préparées par pulvérisation cathodique réactive

S. Durand

Laboratoire d'Optoélectronique, Faculté des Sciences, 40, Avenue du Recteur Pineau, 86022 Poitiers, France

Abstract
The dielectric properties of Zn1-xCd xS have been studied as a function of the polycrystalline structure of these thin films. The conduction mechanism can be explained using a model of grain boundary barriers where the grain behaves as an unorganized material. The barriers of potentiel are found to depend on fixed space charge, which is created by the movement of the free carriers inside every grain.

Résumé
L'étude de la dispersion diélectrique des sulfures mixtes Zn1-xCd xS est effectuée en tenant compte de la nature polycristalline des couches minces. Nous attribuons le régime de conduction aux barrières de potentiel, édifiées à la séparation des grains, le grain se comportant comme un matériau peu organisé. L'existence et la formation de ces barrières de potentiel sont liées à la création d'une charge d'espace fixe créée par le déplacement des porteurs libres, sous l'action d'un champ électrique, dans chaque grain.

PACS
7220H - High field transport and nonlinear effects semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7340S - Electrical properties of metal semiconductor metal structures.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
7720 - Dielectric permittivity.
8115C - Deposition by sputtering.

Key words
cadmium compounds -- dielectric properties of solids -- electronic conduction in crystalline semiconductor thin films -- II VI semiconductors -- metal semiconductor metal structures -- permittivity -- reactive sputtering -- space charge limited conduction -- sputtered coatings -- zinc compounds -- Zn sub 1 x Cd sub x S thin films -- reactive cathodic sputtering -- dielectric properties -- polycrystalline structure -- conduction mechanism -- grain boundary barriers -- fixed space charge -- complex permittivity -- potential barriers -- Al Zn sub 1 x Cd sub x S Al structure