Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 927-931 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:019840019011092700

Etude de la topographie du travail de sortie du silicium et de l'oxyde de silicium

J.L. Chartier, L. Pilorget et R. Le Bihan

Laboratoire de Physique des Surfaces , Institut de Physique, Université de Nantes, 44072 Nantes Cedex, France

Abstract
In order to study the homogeneity and the quality of silicon oxides the work function topography has been measured on oxides of different thicknesses (80 Å to 550 Å). The influence of different parameters is presented : oxide thickness, fabrication process (dry or wet atmosphere...) and the surface preparation before oxidation (oxygen sputter etch...). After removing the oxide film with a solution of fluorhydric acid the work function topography of the silicon substrate is measured. The samples are also studied by Auger electron spectroscopy. The influence of ion etching and electron beam on the work function measurement is presented.

Résumé
Dans le but d'étudier l'homogénéité et la qualité d'oxydes de silicium la topographie du travail de sortie a été déterminée sur des oxydes de différentes épaisseurs (80 Å à 550 Å). L'influence de différents paramètres est présentée : l'épaisseur de l'oxyde, son processus de fabrication (ambiance sèche ou humide...) et les traitements subis (nettoyages...). Après avoir enlevé la couche d'oxyde les topographies du travail de sortie de substrats de silicium sont mesurées. Les différents échantillons sont analysés par spectrométrie Auger. L'influence du décapage ionique et du bombardement électronique sur la mesure du travail de sortie est présentée.

PACS
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.

Key words
elemental semiconductors -- silicon -- silicon compounds -- work function -- Si -- SiO sub 2 -- work function topography -- homogeneity