Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 933-940 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002305093300

Caractérisation du contact Mo/AsGa élaboré par pulvérisation ionique

F. Meyer, E. Velu, C. Pellet, C. Schwebel et C. Dupas

I.E.F. Orsay, UA CNRS 22, bâtiment 220, 91405 Orsay Cedex, France

Abstract
The effect of ion beam sputtered deposition conditions on the characteristics of molybdenum contacts on n-AsGa are investigated by Auger spectroscopy, resistivity, I(V) and C (V ) measurements. At room temperature a layer by layer growth is observed. For temperatures greater than 200 °C interdiffusion occurs. Resistivity measurements at low temperature (0.5 K < T < 4.2 K ) parallel to 6 nm thick Mo /AsGa films evidence a thermal variation of the conductivity linear versus Log T and the onset of superconducting fluctuations. A comparison with Mo/Si gives informations about the quality of the metallic films. The I (V ) and C (V ) properties of Schottky barriers are found to be influenced by temperature deposition, post deposition annealing and nature of the rare gas. It is shown that the ion beam sputtered Mo/AsGa interface does not exhibit any adhesion problem, even when elaborated at 550 °C.

Résumé
L'influence des conditions de dépôt sur les propriétés de contacts molybdène sur arséniure de gallium, élaborés par pulvérisation ionique, a été étudiée par spectrométrie Auger, mesures de résistivité et caractérisations I (V) et C(V). A température ordinaire, la croissance se fait monocouche par monocouche. Au-delà de 200 °C, une interdiffusion se produit. Des mesures de résistance à basse température (0,5 K < T < 4,2 K ), dans le plan des films de Mo sur AsGa de 6 nm d'épaisseur mettent en évidence une variation thermique de la conductivité linéaire en Log T, suivie de l'apparition de fluctuations supraconductrices. La comparaison avec le cas de Mo/Si donne des informations sur la qualité des couches métalliques. Les caractéristiques I(V) et C (V ) des diodes Schottky ainsi élaborées dépendent de la température de dépôt, du recuit post-dépôt et de la nature du gaz rare. Aucun problème d'adhérence n'a été rencontré pour ces contacts Mo/AsGa élaborés par pulvérisation ionique même lorsque le dépôt est réalisé à 550 °C.

PACS
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects semiconductors/insulators.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.

Key words
Auger effect -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- molybdenum -- Schottky effect -- semiconductor metal boundaries -- sputtered coatings -- semiconductor metal contact -- ion beam sputtered deposition conditions -- Auger spectroscopy -- resistivity -- layer growth -- interdiffusion -- superconducting fluctuations -- Schottky barriers -- annealing -- Mo GaAs