Rev. Phys. Appl. (Paris) 3, 265-274 (1968)
DOI: 10.1051/rphysap:0196800303026500

Étude expérimentale des effets de l'eau sur les propriétés électriques de l'oxyde anodique de silicium et de l'interface oxyde/semiconducteur

René Nannoni

Centre de Recherches de la Compagnie Générale d'Électricité, Division des Composants Électroniques, 9I-Marcoussis

Abstract
The action of water on silicon anodic oxide induces a slow change of all its electrical properties. Conduction, rectification and charge storage phenomena are modified, the permittivity changes from 3.9 to 6.2, the potential barrier at the silicon surface is lowered. Application of a strong DC electric field induces a reversal of this evolution. Tritium labelling experiments suggest that the action of water is essentially due to an incorporation of protons.

Résumé
L'action de l'eau sur l'oxyde anodique de silicium se traduit par une évolution lente de toutes ses propriétés électriques. Les phénomènes de conduction, de redressement et d'accumulation de charges sont modifiés, la permittivité passe de 3,9 à 6,2, la barrière de potentiel à la surface du silicium diminue. L'application d'un très fort champ continu permet de revenir sur cette évolution. Des expériences de marquage par le tritium suggèrent que l'action de l'eau se traduirait essentiellement par une incorporation de protons.

PACS
7340 - Electrical and electronic properties of interfaces.
7750 - Dielectric breakdown and space charge effects.
2530 - Semiconductor junctions and interfaces.
2550 - Semiconductor device technology.
2560 - Semiconductor devices.

Key words
electrical properties of substances -- metal insulator semiconductor devices -- silicon compounds