Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 615-618 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012061500

Profiles of recombination and transport parameters in thin sos films

S. Cristoloveanu, A. Chovet et G. Kamarinos

Institut National Polytechnique de Grenoble Laboratoire « Physique des Composants à Semi-Conducteurs », E.N.S.E.R.G., 23, av. des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France

Abstract
SOS film properties are investigated by galvanomagnetic effects which are dominated by either recombination or transport phenomena. The magnetodiode effect allows to obtain both the surface recombination velocities and the bulk lifetime profile : the decrease of the carrier bulk lifetime by an order of magnitude near the Sapphire accounts for the relatively moderate recombination velocity obtained at the Si/Sapphire interface (s ˜ 20 to 30 ms-1 ). Bulk Hall measurements are used, besides the determination of mean drift and Hall mobilities, to study the transport inhomogeneities; a linear decrease of the mobility with the distance from the Si/SiO 2 interface would lead to a relatively large electron mobility near this interface (|μn| → 0.1 m2 V -1 s-1).

Résumé
Les propriétés des films Silicium Sur Isolant sont étudiées par des effets galvanomagnétiques où prédominent soit les phénomènes de recombinaison soit ceux de transport. L'effet magnétodiode permet d'obtenir les vitesses de recombinaison en surface ainsi que le profil de la durée de vie volumique des porteurs : ainsi la décroissance de la durée de vie des porteurs d'un facteur de l'ordre de 10 près du Saphir permet de rendre compte de la valeur modérée obtenue pour la vitesse de recombinaison à l'interface Si-Saphir (s ˜ 20 à 30 ms-1). Les mesures Hall sont utilisées pour étudier, en plus des mobilités volumiques moyennes, certaines inhomogénéités de transport; un modèle de décroissance linéaire de la mobilité avec la distance à l'interface Si/SiO2 donnerait au voisinage de cet interface une valeur relativement grande pour la mobilité des électrons (|μ n| → 0,1 m2 V-1 s-1).

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.

Key words
carrier lifetime -- carrier mobility -- electron hole recombination -- Hall effect -- metal insulator semiconductor structures -- semiconductor thin films -- silicon -- thin SOS films -- magnetodiode effect -- surface recombination velocities -- carrier bulk lifetime -- Hall mobilities -- Si SiO sub 2 interface -- drift electron mobility -- semiconductor structure