Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 14, Numéro 1, janvier 1979
Page(s) 169 - 192
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01979001401016900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 169-192 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001401016900

Nouvelles techniques de réalisation de photopiles au silicium

P. Siffert

Centre de Recherches Nucléaires Groupe de Physique et Applications des Semiconducteurs (PHASE) 67037 Strasbourg-Cedex, France


Abstract
In this article, the various methods used to prepare terrestrial silicon solar cells are reviewed (cells without sun concentration). Starting from the currently available process to manufacture both the material and the junction, the possible improvements are discussed. Then, the new approaches to prepare either mono or polycristalline silicon sheets are considered in some detail. Finally, non conventional methods to realize the junction barrier are investigated.


Résumé
Dans cet article on passe en revue les différentes méthodes d'élaboration des cellules solaires terrestres à base de silicium (sans concentration lumineuse). En partant des méthodes actuelles d'élaboration du silicium et des jonctions, on analyse les progrès possibles. Puis, l'accent est mis sur les voies nouvelles explorées actuellement pour l'obtention de silicium mono ou polycristallin en couches minces. Puis, on s'intéresse aux différents procédés, non conventionnels, mis en oeuvre pour la réalisation de la barrière de potentiel.

PACS
8610K - Solar energy.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
2550 - Semiconductor device technology.
2560Z - Other semiconductor devices.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
reviews -- semiconductor device manufacture -- semiconductor growth -- semiconductor technology -- silicon -- solar cell arrays -- solar cells -- solar power -- junction barrier -- terrestrial Si solar cells -- Si photopiles