Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 651-659 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:01985002009065100

Etude des variations de rendement quantique interne d'un détecteur CCD en fonction de la temperature

G. Rolland

CNES, Centre Spatial de Toulouse, 18, avenue Edouard Belin, 31055 Toulouse Cedex, France

Abstract
The mean parameters which control the variations of the internal quantum efficiency of the active layer with temperature are determined from the spectral response curves of a CCD photosensitive array. The measurements are operated in a large temperature range (from 78 K to 280 K). We optimize a theoretical model and by fitting it with experimental data we evaluate critical parameters. We find that these parameters are the diffusion length in the front layer and the intrinsic absorption coefficient of the silicon substrate. The variation laws of these two parameters are given.

Résumé
A partir du relevé des courbes de réponses spectrales d'une barrette photosensible à transfert de charges à différentes températures entre 280 et 78 K, par ajustement à un modèle théorique du rendement interne d'un photoélément, nous dégageons les paramètres dominants qui déterminent l'évolution du rendement interne de la partie photosensible avec la température. Nous trouvons que ces paramètres sont la longueur de diffusion dans la zone avant du photoélément et le coefficient d'absorption du matériau. Nous donnons les lois de variations de ces deux paramètres.

PACS
0762 - Detection of radiation bolometers, photoelectric cells, i.r. and submillimetre waves detection.
2560S - Other field effect devices.

Key words
CCD image sensors -- charge coupled devices -- photodetectors -- Si substrate -- internal quantum efficiency -- charge coupled device detectors -- active layer -- spectral response curves -- CCD photosensitive array -- 78K to 280K -- critical parameters -- diffusion length -- front layer -- intrinsic absorption coefficient -- variation laws