Rev. Phys. Appl. (Paris) 16, 591-595 (1981)
DOI: 10.1051/rphysap:019810016010059100

Méthode de mesure de la longueur de diffusion dans des rubans de silicium polycristallin destinés à la conversion photovoltaïque

H. Nodet, D. Casenave, R. Gauthier et P. Pinard

Laboratoire de Physique de la Matière , Bât. 502, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, Avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France

Abstract
A method easy to impliment has been set up which enables the measurement of diffusion length with good precision in polysilicon ribbons of p type whose characteristics are those necessary for solar cells. This method is based on the study of Schottky diode obtained through a mercury-silicon contact.

Résumé
Une méthode simple a été mise au point qui permet de mesurer, avec une bonne précision, la longueur de diffusion des électrons dans des rubans de silicium polycristallin de type p dont les caractéristiques sont celles requises pour fabriquer des photopiles. Elle est basée sur l'étude d'une diode Schottky réalisée au moyen d'un contact mercure-silicium.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
2520C - Elemental semiconductors.
4210 - Photoconducting materials and properties.
4250 - Photoelectric devices.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
carrier lifetime -- elemental semiconductors -- photovoltaic effects -- Schottky effect -- semiconductor thin films -- silicon -- solar cells -- Hg Si contact -- polycrystalline Si -- photovoltaic conversion -- semiconductors -- diffusion length measurement -- Schottky diode