Les générateurs à plasma p. 549 F. Kassabji et P. Fauchais DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010054900 RésuméPDF (4.795 MB)Références
Qualitative and quantitative assessments of the growth of (Al,Ga) As-GaAs heterostructures by in situ ellipsometry p. 579 G. Laurence, F. Hottier et J. Hallais DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010057900 RésuméPDF (1.652 MB)Références
Méthode de mesure de la longueur de diffusion dans des rubans de silicium polycristallin destinés à la conversion photovoltaïque p. 591 H. Nodet, D. Casenave, R. Gauthier et P. Pinard DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010059100 RésuméPDF (719.0 KB)Références
Influence de la température sur la vitesse limite des trous dans un transistor MOS à canal court de type P p. 597 M. Gamboa, T. Phan Pham, H. Tranduc et P. Rossel DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010059700 RésuméPDF (315.4 KB)Références
Asservissement de la fréquence d'un laser à colorant sur une référence atomique balayable par un champ magnétique p. 601 N. Courtier et M. Dumont DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010060100 RésuméPDF (1.731 MB)Références
