Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 613-617 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018010061300

Mesure directe de l'électromigration sur des couches métalliques à l'aide de traceurs radioactifs

K.V. Reddy¹, J.J.B. Prasad¹ et F. Bénière<sup>2

1</sup>  Department of Physics, Indian Institute of Technology, Madras 600036, Inde
²  Science des Matériaux, Université de Rennes I, 35042 Rennes, France

Abstract
We have designed a very accurate method of measurement of the electromigration shift of atoms in metallic films. It is based on the isotopic labelling, autoradiography and the selective counting of radioactivity through a slit. The relative error on the shift only is equal to 1 %. The method has been successfully tested on electromigration in indium thin films. The mobility has been measured between 100 and 150 °C where it follows the Arrhenius law : µT = 3.69 x 1021 exp (- 2.00/kT) V-1.cm2.s-1.K.

Résumé
Nous avons mis au point une méthode très précise de mesure du déplacement par électromigration des atomes dans des rubans métalliques. Elle est basée sur le marquage isotopique, l'autoradiographie et le comptage de la radioactivité à travers une fente. L'incertitude relative sur le seul déplacement est égale à 1 %. La méthode a été testée avec succès sur l'électromigration dans l'indium en couche mince. La mobilité a pu ainsi être mesurée entre 100 et 150°C où elle suit la loi d'Arrhénius : µT = 3,69 x 1021 exp(- 2,00/kT) V-1.cm 2.s-1.K.

PACS
6630Q - Electromigration.
6860 - Physical properties of thin films, nonelectronic.

Key words
electromigration -- indium -- metallic thin films -- In films -- electromigration -- thin metallic films -- radiotracers -- isotopic labelling -- Arrhenius law