Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 241-244 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:01984001903024100

Etude des centres à électrons créés par irradiation de protons dans InP:n

S. Loualiche, P. Rojo, G. Guillot et A. Nouailhat

Laboratoire de Physique de la Matière (LA 358), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, avenue Albert Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France

Abstract
Schottky diodes made on n type LEC InP samples have been irradiated by 100 keV H+ at 6 K, 77 K and 300 K and the created electron traps studied by transient capacitance techniques : concentration, profiles and annealing temperature ranges have been determined. Irradiations at 6 K and 77 K give the same results : between 77 K and 300 K, four electron traps have been detected, identical to those observed after electron irradiation at 20 K. The two shallowest disappear after annealing at 100 K and 160 K respectively. One observed trap at least comes from a diffusion process before stabilization. Irradiation at room temperature gives similar results to an irradiation at 77 K followed by 300 K annealing.

Résumé
Les expériences ont été faites sur du matériau LEC non intentionnellement dopé. Les irradiations, avec des protons de 100 keV, sont effectuées aux températures 6 K, 77 K, 300 K et les pièges créés étudiés par méthodes capacitives : concentrations, profils et domaines de stabilités ont été déterminés. Les irradiations à 6 K et 77 K donnent les mêmes résultats expérimentaux. Quatre pièges principaux sont créés, identiques à ceux observés après irradiation aux électrons dans des conditions équivalentes. Il existe, de 77 K à 300 K, deux stades de recuit à 100 K et 160 K. L'un des centres au moins (A. 3) provient d'un processus complexe mettant en jeu une diffusion avant stabilisation. Une irradiation à 300 K est équivalente à une irradiation à 77 K suivie d'un recuit à 300 K.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2530D - Semiconductor metal interfaces.
2560H - Junction and barrier diodes.

Key words
annealing -- deep level transient spectroscopy -- impurity distribution -- indium compounds -- proton effects -- Schottky effect -- Schottky barrier diodes -- proton irradiated InP -- DLTS -- III V semiconductors -- Schottky diodes -- LEC -- 100 keV H sup + -- 6K -- 77K -- 300K -- electron traps -- transient capacitance techniques -- concentration profiles -- annealing temperature -- electron irradiation -- diffusion process -- stabilization