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Propriétés des surfaces de GaAs (110) clivées induites par l'oxygéne et la température — contribution aux caractéristiques des diodes Schottky p. 197 A. Ismail, J.M. Palau et L. Lassabatère DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903019700 RésuméPDF (1.277 MB)Références
Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP p. 205 A. Ismail, J.M. Palau et L. Lassabatère DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903020500 RésuméPDF (1.749 MB)Références
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Calcul de l'énergie déposée et analyse de la cinétique d'échauffement dans ZnTe et MgZnTe sous bombardement électronique pulsé p. 231 C. Roussel, J.P. Jadot, B. Akamatsu et P. Henoc DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903023100 RésuméPDF (1.333 MB)Références
Etude des centres à électrons créés par irradiation de protons dans InP:n p. 241 S. Loualiche, P. Rojo, G. Guillot et A. Nouailhat DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903024100 RésuméPDF (493.6 KB)Références
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