Surface plasma waves attenuation length at IR frequencies. Determination of the conduction electron scattering parameter at the metal-dielectric interface p. 287 J.C. Dudek DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904028700 RésuméPDF (1.120 MB)Références
Résistance du substrat de carbone au silicium fondu dans le procédé RAD p. 297 J. Goma, A. Oberlin, E. Kerrand et C. Belouet DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904029700 RésuméPDF (1.668 MB)Références
Réduction de la dérive de fréquence des oscillateurs à quartz de haute stabilité p. 307 J.-P. Valentin DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904030700 RésuméPDF (522.8 KB)Références
Thermodynamic analysis of the short-range clustering in III V solid solutions p. 311 A. Marbeuf et J.C. Guillaume DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904031100 RésuméPDF (1.212 MB)Références
Recuit pulsé de semiconducteurs par hyperfréquences. Etude de la répartition de la puissance dans l'échantillon p. 319 H. Jaouen, P. Chenevier, G. Kamarinos et G. Pananakakis DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904031900 RésuméPDF (937.4 KB)Références
Etude des propriétés électriques des structures métal-polysiloxane-nGaAs p. 325 Y. Segui, B. Moret et D. Montalan DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904032500 RésuméPDF (974.3 KB)Références
Passivation par l'hydrogène de défauts recombinants dans les photopiles réalisées sur rubans de silicium polycristallin RAD p. 333 M. Mautref, C. Lacroix, C. Belouet, C. Fages, B. Biotteau et F. Amoult DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904033300 RésuméPDF (2.413 MB)Références
Conduction and charge storage in Cr-thin SiO2-pSi structures p. 343 J. Capilla et G. Sarrabayrouse DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904034300 RésuméPDF (525.2 KB)Références
Mechanics of cycling p. 349 J.-P. Mariot DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904034900 RésuméPDF (1.164 MB)Références
