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Propriétés des surfaces de GaAs (110) clivées induites par l'oxygéne et la température — contribution aux caractéristiques des diodes Schottky p. 197 A. Ismail, J.M. Palau and L. Lassabatère DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903019700 AbstractPDF (1.277 MB)References
Formation de l'interface métal/InP et de diodes Schottky sur InP p. 205 A. Ismail, J.M. Palau and L. Lassabatère DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903020500 AbstractPDF (1.749 MB)References
Propriétés de transport de l'antimoniure d'indium à densité de porteurs libres contrôlée par un niveau à relaxation de réseau p. 215 A. Kadri, M. Baj, K. Zitouni, R.L. Aulombard, C. Bousquet, J.L. Robert and L. Konczewicz DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903021500 AbstractPDF (1.076 MB)References
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Calcul de l'énergie déposée et analyse de la cinétique d'échauffement dans ZnTe et MgZnTe sous bombardement électronique pulsé p. 231 C. Roussel, J.P. Jadot, B. Akamatsu and P. Henoc DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903023100 AbstractPDF (1.333 MB)References
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