Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 279-284 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002205027900

Passivation de la surface de phosphure d'indium par des éléments de la colonne V

R. Blanchet, P. Viktorovitch, A. Choujaa, J. Chave et C. Santinelli

Ecole Centrale de Lyon, Laboratoire d'Electronique, Automatique et Mesures Electriques, UA (CNRS) n° 848-36, av. G. de Collongue, BP 163, 69131 Ecully Cedex, France

Abstract
Treatments of (100) oriented InP surface with column V elements (P and As) made before insulator deposition result in better electrical properties of MIS structures in that : (i) the pinning of the interface Fermi level is suppressed, (ü) the stability of the arsenic treated devices is significantly improved.

Résumé
Plusieurs types de traitements de la surface de substrats (100) d'InP au moyen d'éléments de la colonne V (P et As), effectués avant le dépôt de l'isolant, ont permis la réalisation de structures Métal-Isolant-Semiconducteur (MIS) ayant des propriétés électriques améliorées ; l'amélioration se manifeste de deux façons : (i) le blocage du niveau de Fermi à l'interface Semiconducteur-Isolant est supprimé, (ii) la stabilité des composants traités par arsenic est nettement augmentée.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
Fermi level -- III V semiconductors -- indium compounds -- metal insulator semiconductor structures -- passivation -- surface 100 -- semiconductor -- passivation -- insulator deposition -- electrical properties -- MIS structures -- pinning -- interface Fermi level -- stability -- InP surface