Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 881-884 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208088100

Propriétés physiques des structures MIS réalisées sur InP(n) en utilisant un oxyde bicouche comme isolant

B. Bouchikhi¹, C. Michel¹, C. Boutrit¹ et B. Lepley<sup>2

1</sup>  Laboratoire d'Electronique et de Physique des interfaces (LEPI), ESSTIN, Parc Robert-Bentz, 54500 Vandoeuvre-Les-Nancy, France
²  CLOES, ESE, Université de Metz-SUPELEC, 57078 Metz Cedex 3, France

Abstract
The interfacial electrical properties of an RF plasma grown native oxide double-layer have been studied. These measurements include capacitance and conductance versus bias voltage with frequency and temperature as parameters. We find that the electrical characteristics of the MIS diodes depend on the sample and time of oxidation. The capacitance-voltage data performed at different frequencies and temperatures show an unusual behaviour, namely, a plateau in negative gate bias and some frequency and temperature dependence in the entire range of the applied forward gate bias. The surface composition and stoichiometry of oxides grown on InP by using the InP or alumina-cathode have been examined by using XPS technique. The XPS results show that the oxide layers are depleted of phosphorus and appeared to be indium-rich oxides.

Résumé
Les propriétés électriques de l'interface d'un oxyde natif plasma RF bicouche ont été étudiées par des mesures de capacité et de conductance en fonction de la tension de polarisation à différentes fréquences et températures. Les propriétés électriques des diodes MIS dépendent de l'origine du substrat ainsi que de la durée d'oxydation. Les caractéristiques C-V tracées à différentes fréquences et températures présentent des comportements anormaux, à savoir, un plateau en polarisation inverse et une dépendance en fonction de la fréquence et de la température dans le domaine des polarisations directes. La composition de la surface ainsi que la stoechiométrie des oxydes plasma réalisés en utilisant une cathode d'InP ou une cathode d'alumine ont été examinées par la technique XPS. Les résultats de cette analyse ont montré que la surface des oxydes est appauvrie en phosphore et enrichie en indium.

PACS
6848 - Solid solid interfaces.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.

Key words
III V semiconductors -- indium compounds -- metal insulator semiconductor structures -- X ray photoelectron spectra -- semiconductor -- MS structures -- n InP -- interfacial electrical properties -- RF plasma grown native oxide double layer -- capacitance -- conductance -- surface composition -- stoichiometry -- XPS