Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 873-879 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208087300

Spectres de sections efficaces absolues de photo-ionisation des ions de transition 3d dans InP

G. Bremond, G. Guillot et A. Nouailhat

Laboratoire de Physique de la Matière (associé au CNRS), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France

Abstract
D.L.O.S. (Deep Level Optical Spectroscopy) experiments have been performed to obtain absolute photo-ionization cross section spectra of the levels created by 3d transition ions in the forbidden gap of InP. These systematic experimental studies provide a complete list of absolute σ0n and σ0p. Their analysis shows physical properties of 3d ions in InP : the nature of the electronic orbital configuration, the existence of excited state, the lattice relaxation.

Résumé
Une étude systématique des spectres de sections efficaces absolues de photo-ionisation σ0n(hν) et σ0 p(hν) des niveaux créés dans la bande interdite de InP par les ions de transition 3d Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co et Cu a été réalisée en utilisant la technique D.L.O.S. (Deep Level Optical Spectroscopy). Un catalogue complet de ces σ0n et σ0p absolus est présenté. Leur analyse révèle des propriétés physiques des ions de transition 3d dans InP: la nature de la configuration orbitale électronique, 1'existence d'états excités, la relaxation de réseau.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.

Key words
deep levels -- III V semiconductors -- impurity electron states -- indium compounds -- photocapacitance -- semiconductor -- DLOS -- Deep Level Optical Spectroscopy -- absolute photo ionization cross section spectra -- 3d transition ions -- electronic orbital configuration -- excited states -- lattice relaxation -- InP