Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 1, mars 1966
Page(s) 25 - 31
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019660010102500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 25-31 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:019660010102500

Cryostat à température réglable entre 4° et 300 °K et mesure de la conductibilité thermique

M. Vandevyver, P. Roubeau et H.J. Albany

Centre d'Études Nucléaires de Saclay


Abstract
We describe a cryostat the temperature of which can be continuously varied from 4° to 300 °K and working by forced circulation of helium gas. The higher the temperature, the less is the consumption. This apparatus is used for measuring the thermal conductivity of germanium and silicon single crystals. The measuring technique is described in detail.


Résumé
On décrit un cryostat à température ajustable entre 4° et 300 °K fonctionnant par circulation forcée d'hélium gazeux et dont la consommation est d'autant plus faible que la température est plus élevée. L'appareil est utilisé à la mesure de la conductibilité thermique K de monocristaux de germanium et de silicium. La technique de mesure est décrite en détail.

PACS
0720M - Cryogenics; refrigerators, low-temperature equipment.

Key words
Measurement systems -- Cryostats -- Thermal conductivity measurement -- Temperature range 0-13 K -- Temperature range 13-65 K -- Temperature range 65-273 K -- Temperature range 273-400 K -- Germanium -- Silicon