Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 5, Numéro 4, août 1970
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Page(s) | 611 - 616 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0197000504061100 |
DOI: 10.1051/rphysap:0197000504061100
Mesure du coefficient de hall des métaux ou semiconducteurs liquides
J.C. PerronLaboratoire de Génie Electrique, 33, avenue du Général-Leclerc, Fontenay-aux-Roses
Abstract
A method for measuring the Hall coefficient, suitable for liquid metals or semiconductors, is reported. The current and the induction have different frequencies, the Hall voltage is measured at the sum or difference of the frequencies. After checking the validity of the method on elements having a known Hall coefficient, it has been successfully applied to liquid tellurium in the temperature range between supercooling and 750 °C.
Résumé
Nous décrivons une méthode de mesure du coefficient de Hall adaptée aux liquides métalliques ou semiconducteurs. Le courant et l'induction sont à des fréquences différentes et la tension de Hall est mesurée aux fréquences somme ou différence. Après avoir vérifié la validité de la méthode sur des corps dont le coefficient de Hall est connu, nous l'avons appliqué avec succès sur le tellure liquide entre la région de surfusion et 750 °C.
7200 - Electronic transport in condensed matter.
2550 - Semiconductor device technology.
2560Z - Other semiconductor devices.
Key words
Hall effect -- liquid metals -- metals -- semiconductors