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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 9, Numéro 1, janvier 1974
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| Page(s) | 195 - 197 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0197400901019500 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 195-197 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400901019500
1 Department of Electrical Engineering and Denver Research Institute University of Denver, Denver, Colorado 80210, USA
2 Cryogenics Division, National Bureau of Standards Boulder, Colorado 80302, USA
8525P - Superconducting infrared, submillimeter and millimeter wave detectors.
Key words
Millimeter wave detectors -- Josephson effect -- Point contacts -- Parametric amplifiers -- Design -- Fabrication -- Niobium
DOI: 10.1051/rphysap:0197400901019500
Field-usable sharpless wafers for Josephson effect devices at millimeter waves
J. Edrich1, J.D. Cupp2 et D.G. McDonald21 Department of Electrical Engineering and Denver Research Institute University of Denver, Denver, Colorado 80210, USA
2 Cryogenics Division, National Bureau of Standards Boulder, Colorado 80302, USA
Abstract
It is shown how modified Sharpless wafers can be used for point contact Josephson effect detectors, converters, oscillators and parametric amplifiers. First experimental data indicate that this method results in devices that are rugged, can be permanently adjusted at room temperature and can be cycled in temperature.
Résumé
On montre comment des « Sharpless wafers » modifiés peuvent etre utilisés pour des dispositifs Josephson à contact à pointe, tels que détecteurs, changeurs de fréquence, oscillateurs et amplificateurs paramétriques. Les premiers résultats expérimentaux montrent que ces dispositifs sont robustes, peuvent être réglés à la température ambiante et être recyclés thermiquement sans dommage.
8525P - Superconducting infrared, submillimeter and millimeter wave detectors.
Key words
Millimeter wave detectors -- Josephson effect -- Point contacts -- Parametric amplifiers -- Design -- Fabrication -- Niobium