Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 469-473 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400902046900

Attachement électronique dissociatif sur HCI et DCI

R. Azria, L. Roussier, R. Paineau et M. Tronc

Laboratoire de Collisions Electroniques Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France

Abstract
The formation of negative ions in HCI and DCI is studied with a total ionization chamber. In addition to the already well established peak of CI- ions, two other peaks are observed at 6.9 and 9.2 eV. These peaks are due to H- (D-) ions. We have determined the absolute cross section for the different processes and measured the corresponding isotope effects. We obtained :$$.

Résumé
La formation des ions négatifs dans HCI et DCl est étudiée à l'aide d'un tube à ionisation totale. En plus du pic d'ions CI- observé par de nombreux auteurs, la courbe représentant le courant d'ions négatifs en fonction de l'énergie des électrons comporte deux autres pics à 6,9 et 9,2 eV. Ces pics sont attribués aux ions H- (D-). Nous avons déterminé la valeur des sections efficaces des différents processus d'attachement et mesuré les effets isotopiques correspondants. Nous obtenons :$$.

PACS
3380G - Diffuse molecular spectra: predissociation, photodissociation.
3480G - Molecular excitation, ionization, and dissociation by electron impact.

Key words
deuterium compounds -- electron ionisation -- hydrogen compounds -- molecular dissociation -- dissociative electronic attachment -- HCl -- DCl -- total ionization chamber -- negative ion formation