Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 14, Numéro 8, août 1979
Page(s) 795 - 798
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01979001408079500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 795-798 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001408079500

Sur l'utilisation de la méthode de Kelvin pour l'étude des travaux de sortie des surfaces inhomogènes

L. Soonckindt, J. Bonnet et L. Lassabatère

Centre d'Etudes d'Electronique des Solides , Université des Sciences et Techniques du Languedoc, USTL, place Eugène-Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France


Abstract
This paper deals with the meaning of work function topographies obtained by the Kelvin method. We first recall the contribution of the fringing field on the edges of the condenser and that of the vibrating electrode dimension to the measured contact potential ; then, we show the necessity of working with a constant resolution, i.e. with a constant electrode-semiconductor-distance. At last we give an experimental example and a background of the results obtained by other methods.


Résumé
Après avoir rappelé de façon générale les problèmes posés, au niveau de la mesure et de son interprétation, pour les inhomogénéités spatiales des surfaces réelles et propres, on s'attache à l'analyse des topographies de travail de sortie effectuées par la méthode de Kelvin. Après avoir précisé l'influence des effets de bord, de la dimension de l'électrode, et montré la nécessité de travailler à résolution constante (donc à distance constante), on donne un exemple d'application correspondant à un cas concret et on rappelle les résultats obtenus par d'autres méthodes.

PACS
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.

Key words
work function -- Kelvin method -- inhomogeneous surface work functions -- fringing field -- contact potential