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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 14, Numéro 11, novembre 1979
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| Page(s) | 921 - 925 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:019790014011092100 | |
DOI: 10.1051/rphysap:019790014011092100
A criterion for determining the switching voltage of a metal-thin insulator-Si(n)-Si(p+) device
J. Millán1, F. Serra-Mestres1 et J. Buxó21 Departamento de Electricidad y Electrónica. Universidad Autónoma de Barcelona, Bellaterra, Barcelona, Spain
2 Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France
Abstract
A new switching criterion for Metal-Insulator-Si(n)-Si(p+) structures based on the MIS diode capacity is given within the framework of a simple electrostatic model. The values of the switching voltage and its dependence on temperature, together with the switching current are calculated on the basis of analytical expressions. These values are in accordance with experimental data.
Résumé
Les auteurs donnent un nouveau critère physique pour le phénomène de commutation des dispositifs du type M-I-S(n)-S(p+). Ce critère, basé sur la valeur de la capacité de la diode M-I-S(n), a pu être établi dans le cadre d'un modèle électrostatique particulièrement simple. Il a permis le calcul de la valeur de la tension de commutation ainsi que de sa dépendence en température. La valeur du courant à la commutation est aussi exprimée par des formules analytiques simples. Les valeurs obtenues sont en accord avec les résultats expérimentaux publiés.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560S - Other field effect devices.
Key words
inversion layers -- metal insulator semiconductor devices -- semiconductor device models -- switching -- switching voltage -- electrostatic model -- MISS device -- metal insulator Si Si device