Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 2, février 1980
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Page(s) | 257 - 262 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001502025700 |
DOI: 10.1051/rphysap:01980001502025700
Caractérisation par microsonde électronique de couches minces de Cd 1-xZnxS pour cellules solaires
J.F. Bresse, M. Lumbreras-Ginter, A. Rossi et M. CadeneLaboratoire de Microscopie Electronique et Microanalyse, Groupe de Dynamique des Phases Condensées (L.A. 233) U.S.T.L., p1. E.-Bataillon, 34060 Montpellier, France
Abstract
Cd1-xZnxS layers obtained by an evaporation of solid solution powders, a few microns thick have been analyzed by a Castaing microprobe. The particularity of these layers ( x = 0.09 and 0.10) which corresponds to an important Zn gradient in thickness has been characterized by X-Ray profiles. Quantitative measurements on profiles and on layers surface using different excitation energies permit to have a good idea of the concentration gradient and its variation as a function of thermal treatments.
Résumé
Des couches de Cd1-xZnxS, obtenues par une méthode d'évaporation classique à partir d'une solution solide de quelques micromètres d'épaisseur, ont été analysées grâce à une microsonde électronique de Castaing. Dans l'épaisseur des couches correspondant à x = 0,09 et 0,10, un gradient important de l'élément Zn a pu être mis en évidence et caractérisé quantitativement parallèlement aux éléments Cd et S. Les mesures effectuées sur la tranche à partir des profils d'émission X et sur la surface pour différentes énergies du faisceau incident ont été comparées et ont permis en particulier de mettre en évidence la variation des gradients lors d'un recuit thermique.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8280D - Electromagnetic radiation spectrometry chemical analysis.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
8420 - Solar cells and arrays.
Key words
cadmium compounds -- semiconductor thin films -- zinc compounds -- Cd sub 1 x Zn sub x S thin films -- solar cells -- Castaing microprobe -- concentration gradient -- electron probe analysis -- II VI semiconductors