Nature of defects in heavily Te-doped GaAs p. 475 D.L. Williamson, M. Kowalchik, A. Rocher et P. Gibart DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001808047500 RésuméPDF (736.1 KB)Références
Caractérisation de la stabilité d'un élément piézoélectrique du type PZT sous compression uniaxiale rapide p. 479 H. Ohanessian, P. Gonnard, M. Troccaz, L. Eyraud et P. Eyraud DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001808047900 RésuméPDF (1.033 MB)Références
Détermination expérimentale des paramètres des transistors MOS p. 487 P. Rossel, H. Tranduc, J.L. Sanchez et A. Bellaouar DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001808048700 RésuméPDF (906.7 KB)Références
Etude expérimentale de la zone pariétale d'un écoulement turbulent instationnaire en conduite bidimensionnelle p. 495 J. Tartarin DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001808049500 RésuméPDF (1.371 MB)Références
Calcul de la sensibilité et de la constante de temps d'une thermopile à éléments en couches minces et structure radiale p. 507 A. Septier et C. Machet DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001808050700 RésuméPDF (1.013 MB)Références
Appareillage d'épitaxie de composés semiconducteurs par transport réactif à courte distance p. 515 J.M. Laroche et G. Cohen-Solal DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001808051500 RésuméPDF (610.4 KB)Références
Préparation d'échantillons de carbone pour sources d'ions à pulvérisations p. 519 I. Brissaud, J.P. Mouffron, J.M. Garnier et J.L. Michelot DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001808051900 RésuméPDF (718.0 KB)Références
