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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 19, Numéro 2, février 1984
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Page(s) | 51 - 58 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0198400190205100 |
DOI: 10.1051/rphysap:0198400190205100
Le silicium amorphe hydrogène et ses applications à l'imagerie
C. Chaussat1 et J.C. Bruyère21 Thomson-C.S.F./D.T.E., B.P. 55, 38120 Saint Egrève, France
2 Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides, C.N.R.S., B.P. 166, 38042 Grenoble Cedex, France
Abstract
Hydrogenated amorphous silicon is a very attractive material for imaging applications. When deposited in thin layers, its properties allow to use it in devices such as photosensitive targets for Vidicon pickup tubes. After mentioning the necessities for such a device, we describe the different structures already studied, and we discuss the device improvement when depositing an intermediate blocking contact. The use of a a-SixNy(H) layer prepared by glow-discharge of a SiH4-N2-H2 or SiH 4-NH3-H2 gaseous mixture, as a blocking contact, has been studied, and we present results concerning the optical, electrical and photoelectrical properties of this material.
Résumé
Le silicium amorphe hydrogéné est un matériau très attrayant pour les applications à l'imagerie. Ses propriétés, lorsqu'il est déposé en couches minces, permettent de l'utiliser dans des dispositifs tels que les cibles photosensibles pour tubes de prises de vues Vidicon. Après avoir mentionné les contraintes liées à un tel dispositif, nous décrivons les différentes structures déjà étudiées, et nous évaluons les améliorations apportées au dispositif par le dépôt d'un contact bloquant intermédiaire. L'utilisation en tant que contact bloquant d'une couche de a-SixNy(H) préparée par décharge luminescente dans un mélange gazeux SiH4-N2-H 2 ou SiH4-NH3-H2 a été étudiée, et nous présentons des résultats concernant les propriétés optiques, électriques et photoélectriques de ce matériau.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.
7820D - Optical constants and parameters condensed matter.
7830 - Infrared and Raman spectra and scattering condensed matter.
2520C - Elemental semiconductors.
2520F - Amorphous and glassy semiconductors.
4210 - Photoconducting materials and properties.
Key words
amorphous semiconductors -- electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators -- elemental semiconductors -- infrared spectra of inorganic solids -- optical constants -- photovoltaic effects -- silicon -- electrical properties -- IR spectra -- semiconductor -- optical gap -- optical properties -- static refractive index -- Si:H -- photovoltaic response -- amorphous state -- photoconductivity -- imaging applications -- photosensitive targets -- Vidicon pickup tubes -- Si sub x N sub y H layer -- glow discharge -- photoelectrical properties