Simulation d'un transistor MOS silicium-sur-isolant à désertion profonde avec contrôle du potentiel arrière p. 921 F. Balestra et J. Brini DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011092100 RésuméPDF (827.4 KB)Références
Etude de la topographie du travail de sortie du silicium et de l'oxyde de silicium p. 927 J.L. Chartier, L. Pilorget et R. Le Bihan DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011092700 RésuméPDF (710.7 KB)Références
Vieillissement des transistors MOS submicroniques après contrainte électrique p. 933 S. Cristoloveanu, B. Cabon-Till, K.N. Kang, P. Gentil et J. Gautier DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011093300 RésuméPDF (1.209 MB)Références
Defect creation and development at the polysilicon-silicon interface during a cold technology simulation p. 941 C. Jourdan, J. Gastaldi et M. Bienfait DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011094100 RésuméPDF (503.0 KB)Références
Etude de la capacité de stockage maxima dans un dispositif à transfert de charges en volume p. 945 D. Rigaud, D. Sodini, A. Touboul et K. Torbati DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011094500 RésuméPDF (681.5 KB)Références
Transmission d'une impulsion de tension dans une colonne d'eau p. 951 C. Favreau DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011095100 RésuméPDF (1.659 MB)Références
