Simulation d'un transistor MOS silicium-sur-isolant à désertion profonde avec contrôle du potentiel arrière p. 921 F. Balestra and J. Brini DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011092100 AbstractPDF (827.4 KB)References
Etude de la topographie du travail de sortie du silicium et de l'oxyde de silicium p. 927 J.L. Chartier, L. Pilorget and R. Le Bihan DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011092700 AbstractPDF (710.7 KB)References
Vieillissement des transistors MOS submicroniques après contrainte électrique p. 933 S. Cristoloveanu, B. Cabon-Till, K.N. Kang, P. Gentil and J. Gautier DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011093300 AbstractPDF (1.209 MB)References
Defect creation and development at the polysilicon-silicon interface during a cold technology simulation p. 941 C. Jourdan, J. Gastaldi and M. Bienfait DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011094100 AbstractPDF (503.0 KB)References
Etude de la capacité de stockage maxima dans un dispositif à transfert de charges en volume p. 945 D. Rigaud, D. Sodini, A. Touboul and K. Torbati DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011094500 AbstractPDF (681.5 KB)References
Transmission d'une impulsion de tension dans une colonne d'eau p. 951 C. Favreau DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011095100 AbstractPDF (1.659 MB)References
Revue de Livres p. 963 DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011096300 AbstractPDF (217.5 KB)
