Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 157-162 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:01985002003015700

Caractéristiques courant-tension de jonctions P-N fabriquées par traitement laser

E. Fogarassy, A. Slaoui et P. Siffert

CRN, Groupe de Physique et Applications des Semiconducteurs PHASE, 23 rue du Loess, 67037 Strasbourg Cedex, France

Abstract
The aim of this paper is to analyse the current-voltage characteristics of P-N junctions prepared on silicon by pulsed laser melting. Their properties shall be compared to those of classical thermal diffused diodes. The observed modifications are attributed first to the creation of defects in space charge region as well as at the surface of the treated layers, secondly to the formation of supersaturated solid solutions which present high densities of electrically active carriers.

Résumé
Le but de ce travail est d'analyser les caractéristiques courant-tension des jonctions P-N fabriquées dans du silicium au moyen d'impulsions laser brèves et de fortes puissances permettant de fondre superficiellement le silicium et de les comparer aux propriétés des diodes préparées par diffusion thermique classique. L'origine des modifications observées est attribuée d'une part à la création de défauts dans la zone de charge d'espace et à la surface des échantillons par l'impulsion laser, d'autre part à la constitution de solutions solides sursaturées, caractérisées par une densité très élevée de porteurs électriquement actifs.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.

Key words
carrier density -- elemental semiconductors -- p n homojunctions -- silicon -- semiconductor -- I V characteristics -- p n junctions -- current voltage characteristics -- pulsed laser melting -- classical thermal diffusion diodes -- defects -- space charge region -- supersaturated solid solutions -- high densities -- electrically active carriers