Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 299-303 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:01986002105029900

Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs

D. Etienne, N. Achargui et G. Bougnot

Centre d'Electronique de Montpellier (UA.391), Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place E. Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France

Abstract
As doped Ge layers were obtained by chemical vapour transport using a disproportiounation reaction 2 GeI2 = Ge + GeI4. They were n type and their electric parameters p, μH, n were studied as a function of substrate temperature and flow rate of AsH3. The incorporation of As into the epilayer is studied thermodynamically.

Résumé
Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p, μH, n sont étudiés en fonction de la température de substrat et du débit de AsH3. L'incorporation de As dans la couche est étudiée thermodynamiquement.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8115H - Chemical vapour deposition.

Key words
arsenic -- elemental semiconductors -- germanium -- semiconductor doping -- semiconductor epitaxial layers -- Ge:As -- epitaxial semiconductors -- chemical vapour transport -- disproportionation reaction