Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 343-348 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:01986002106034300

Chemical diffusion for CoO and Cu2O deduced from creep transitories

C. Clauss, A. Dominguez-Rodriguez et J. Castaing

Laboratoire de Physique des Matériaux, CNRS-Bellevue, 1, place Aristide Briand ,92195 Meudon Cedex, France

Abstract
The analysis of creep transitories after a change in oxygen partial pressure, allowed us to determine chemical diffusion coefficients for CoO and Cu 2O, single- and polycrystals. The rate of equilibration of point defect concentrations is similar for all defects. Grain boundaries do not seem to accelerate the process.

Résumé
A la suite d'un changement de pression d'oxygène, l'analyse du fluage transitoire nous a permis de déterminer un coefficient de diffusion chimique pour les monocristaux et polycristaux de CoO et Cu2O. Le retour à l'équilibre de la concentration des défauts ponctuels se fait au même rythme pour tous les défauts concernés. Les joints de grains n'accélèrent pas ce processus de façon sensible.

PACS
6220H - Creep.
6630N - Chemical interdiffusion in solids.

Key words
cobalt compounds -- copper compounds -- creep -- diffusion in solids -- CoO -- Cu sub 2 O -- creep transitions -- chemical diffusion coefficients -- rate of equilibration of point defect concentrations