Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 467-488 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:01986002108046700

Silicon wafers for integrated circuit process

B. Leroy

Compagnie IBM France, Dept. 1817/14 E, B.P. 58, 91102 Corbeil Essonne Cedex, France

Abstract
Silicon as a substrate material will continue to dominate the market of integrated circuits for many years. We first review how crystal pulling procedures impact the quality of silicon. We then investigate how thermal treatments affect the behaviour of oxygen and carbon, and how, as a result, the quality of silicon wafers evolves. Gettering techniques are then presented. We conclude by detailing the requirements that wafers must satisfy at the incoming inspection.

Résumé
Le marché des circuits intégrés sera dominé pendant encore plusieurs années par des circuits réalisés sur des substrats de silicium. D'abord nous passons en revue comment les procédures de tirage du cristal impactent la qualité du silicium. Ensuite nous étudions comment les traitements thermiques affectent le comportement de l'oxygène et du carbone, et comment il en résulte une évolution de la qualité des tranches de silicium. En conclusion nous détaillons les exigences que les tranches doivent satisfaire à l'inspection de réception par l'utilisateur.

PACS
0130R - Reviews and tutorial papers: resource letters.
8110 - Methods of crystal growth and purification.
0510 - Crystal growth.
2220C - General integrated circuit fabrication techniques.
2570 - Semiconductor integrated circuits.

Key words
crystal growth -- elemental semiconductors -- integrated circuit manufacture -- reviews -- semiconductor growth -- silicon -- integrated circuit process -- substrate material -- crystal pulling procedures -- quality -- thermal treatments