Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 469-471 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002206046900

Electron paramagnetic resonance of plastically deformed semiconductors : a short review

A. Goltzené

Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide, Université Louis-Pasteur, 5, rue de l'Université, 67084 Strasbourg Cedex, France

Abstract
Electron paramagnetic resonance spectra correlated to plastic deformation have been evidenced in Si, Ge and GaAs. At least for Si and GaAs, a similar behaviour is observed for these signals, ascribed to defects localized on, or near, the dislocation core ; however, we stress that the difference between the element and binary compound should also yield a difference while the lattice is reordering, as more than one phase can appear in a compound.

Résumé
Des spectres de résonance paramagnétique électronique, corrélés avec une déformation plastique, ont été mis en évidence dans Si, Ge et GaAs. Au moins pour Si et GaAs, le comportement de ces signaux, attribués à des défauts localisés, soit dans le coeur de la dislocation, soit proche de celui-ci, est très semblable ; une différence entre élément et composé devrait cependant se manifester, plus de phases pouvant apparaître lorsque le réseau du composé se réarrange.

PACS
6220F - Deformation and plasticity.
7630M - EPR of colour centres and other defects.

Key words
elemental semiconductors -- gallium arsenide -- germanium -- III V semiconductors -- paramagnetic resonance -- paramagnetic resonance of defects -- plastic deformation -- silicon -- electron paramagnetic resonance spectra -- EPR spectra -- semiconductors -- review -- defects -- dislocation core -- Si -- Ge -- GaAs