Revue de Physique Appliquée

Etude de l'influence de l'épaisseur de la région n pour l'optimisation de la tenue en tension des structures p-n-n+ p. 473

V. Boisson, M. Le Helley et J.P. Chante

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207047300

Recent developments of the two-dimensional technological process simulator OSIRIS p. 477

N. Guillemot, G. Pananakakis et P. Chenevier

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207047700

Etude expérimentale et modélisation d'un stockage thermique de longue durée en lit de cailloux enterré, couplé à des capteurs solaires à air p. 487

C. Dang Vu et B. Delcambre

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207048700

Static response of miniature capacitive pressure sensors with square or rectangular silicon diaphragm p. 505

G. Blasquez, Y. Naciri, P. Blondel, N. Ben Moussa et P. Pons

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207050500

Silicium polycristallin p. 511

Bernard Equer, Pierre Pinard, André Rocher et Michel Rodot

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207051100

Polycrystalline silicon p. 513

Bernard Equer, Pierre Pinard, André Rocher et Michel Rodot

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207051300

Czochralski growth of silicon bicrystals p. 515

J.J. Aubert et J.J. Bacmann

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207051500

Etude de la solidification directionnelle en creuset du silicium en vue d'un usage solaire p. 519

G. Revel, J.-L. Pastol, D. Hania et Nguyen Dinh Huynh

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207051900

The Polyx photovoltaic technology: progress and prospects p. 529

J. Fally, E. Fabre et B. Chabot

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207052900

Le silicium polycristallin Polix : élaboration, propriétés et performances p. 535

G. Nouet, P. Lay et J.L. Chermant

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207053500

Solidification of polycrystalline silicon ingots : simulation and characterization of the microstructure p. 549

P. Lay, G. Nouet, M. Coster, L. Chermant et J.L. Chermant

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207054900

Le ruban de silicium E.P.R.: élaboration et mise au point d'un dispositif d'analyse des contraintes résiduelles p. 557

D. Chambonnet, R. Gauthier, R. M'Ghaieth et P. Pinard

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207055700

Atomic structure of grain boundaries in semiconductors p. 563

A. Bourret et J.J. Bacmann

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207056300

Deformation mechanisms of Σ = 9 bicrystals of silicon p. 569

M. El Kajbaji, J. Thibault-Desseaux, M. Martinez-Hernandez, A. Jacques et A. George

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207056900

Electronic properties of grain boundaries in semiconductors p. 579

J.C. Bourgoin, A. Mauger et M. Lannoo

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207057900

Les propriétés électriques de la macle Σ = 25 du silicium et leur évolution en fonction de traitements de recuit p. 585

A. Broniatowski

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207058500

Origine structurale et chimique de l'activité électrique des joints de grains dans le silicium p. 591

A. Rocher

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207059100

EBIC and conductance measurements in poly- and bicrystalline silicon p. 597

A. Bary, B. Mercey, G. Poullain, J.L. Chermant et G. Nouet

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207059700

Texture analysis of silicon with an heterogeneous morphology used for the photovoltaic conversion by neutron diffraction p. 603

P. Andonov, P. Dervin et C. Esling

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207060300

On the origin of the electrical activity in silicon grain boundaries p. 613

J.-L. Maurice

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207061300

Impurity-induced microstructure of grain boundaries in cast silicon. Incidence on electrical properties p. 623

J.Y. Laval, J.L. Maurice et C. Cabanel

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207062300

Recombination effects and impurity segregation at grain boundaries in polycrystalline silicon p. 631

S. Pizzini, A. Sandrinelli, M. Beghi, D. Narducci et P.L. Fabbri

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207063100

Influence and passivation of extended crystallographic defects in polycrystalline silicon p. 637

S. Martinuzzi

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207063700

Improvement of electron diffusion lengths in polycrystalline silicon wafers by aluminium p. 645

S. Martinuzzi, H. Poitevin, M. Zehaf et C. Zurletto

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207064500

Hydrogen ion passivation of multicrystalline silicon solar cells p. 649

J.C. Muller, A. Barhdadi, Y. Ababou et P. Siffert

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207064900

Impurity-defect interaction in polycrystalline silicon for photovoltaic applications. The role of hydrogen p. 655

A. Chari, P. de Mierry, A. Menikh et M. Aucouturier

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Role of oxygen in surface segregation of metal impurities in silicon poly-and bicrystals p. 663

E. Amarray et J.P. Deville

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207066300

Microstructure effect on the HNO3-HF etching of LPCVD boron-doped polycrystalline silicon p. 671

F. Mansour-Bahloul, D. Bielle-Daspet et A. Peyrelavigne

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3D-Modelling of polycrystalline silicon solar cells p. 677

J. Dugas et J. Oualid

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207067700

Thin film solar cells using impure polycrystalline silicon p. 687

M. Rodot, M. Barbe, J.E. Bouree, V. Perraki, G. Revel, R. Kishore, J.L. Pastol, R. Mertens, M. Caymax et M. Eyckmans

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207068700

Polyx multicrystalline silicon solar cells processed by PF+ 5 unanalysed ion implantation and rapid thermal annealing p. 695

W.O. Adekoya, Li Jin Chai, M. Ajaka, J.C. Muller et P. Siffert

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207069500

Revue de livres p. 705

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207070500