Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 1585-1594 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:0198700220110158500

Conception théorique d'un nouveau modulateur électrooptique sur GaAs/AlGaAs à largeur de bande commandée en tension

D. Rauly, E. Pic et S. Tedjini

LEMO UA CNRS 833, 23 rue des Martyrs, 38031 Grenoble, France

Abstract
This paper addresses a new type of travelling wave electrooptic modulators. The proposed modulator is tuned by an external variable voltage. By this method one may match the microwave index to the optical one. The consequence is a significant enhancement of the bandwidth modulation.

Résumé
Dans cet article, nous présentons un nouveau type de modulateur électrooptique à onde progressive. L'originalité de ce nouveau composant réside dans l'adjonction d'une tension de commande extérieure qui a pour rôle d'accorder l'indice microonde à l'indice optique : le résultat est un élargissement considérable de la largeur de bande de modulation.

PACS
4280K - Optical beam modulators.
4282 - Integrated optics.
4150 - Electro optical devices.

Key words
aluminium compounds -- electro optical devices -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- integrated optics -- optical modulation -- semiconductor -- voltage controlled bandwidth -- travelling wave electrooptic modulation -- bandwidth modulation -- GaAs AlGaAs