Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 243-249 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002402024300

The base line problem in DLTS technique

G. Couturier, A. Thabti et A.S. Barrière

LEMME, Université de Bordeaux 1, 351 Cours de la libération, 33405 Talence Cedex, France

Abstract
This paper describes a solution to suppress the base line problem in DLTS spectroscopy using a lock-in amplifier. The method has been used to characterize deep levels in a GaAs Schottky diode. Comparison with the classical method based on the use of a capacitance meter in the differential mode is established. The electric field dependence of the DLTS signal in a weakly doped semiconductor is also reported and proves the efficiency of the method. Finally, the data process is discussed.

Résumé
Ce papier décrit une méthode pour supprimer le problème posé par la ligne de base en spectroscopie DLTS utilisant une détection synchrone. La méthode a été utilisée pour caractériser les pièges profonds dans une diode Schottky GaAs. Une comparaison avec la méthode classique utilisant un capacimètre en mode différentiel est donnée. Une étude de la dépendance du signal DLTS en fonction du champ électrique dans un semiconducteur faiblement dopé est également rapportée et prouve l'efficacité de la méthode. Finalement, le dépouillement des résultats est largement discuté.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
0750 - Electrical instruments and techniques.

Key words
deep level transient spectroscopy -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- data processing -- base line problem -- DLTS spectroscopy -- lock in amplifier -- deep levels -- Schottky diode -- electric field dependence -- weakly doped semiconductor -- efficiency -- GaAs