Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. I. Etude du phénomène de compensation p. 973 A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni et P.N. Favennec DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010097300 RésuméPDF (1.465 MB)Références
Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds p. 983 A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni et P.N. Favennec DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010098300 RésuméPDF (1.262 MB)Références
High voltage RESURF LDMOS for smart power integrated circuits p. 993 G. Charitat, A. Nezar et P. Rossel DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010099300 RésuméPDF (1.035 MB)Références
Microlithography with a laser plasma X-ray source p. 1001 I. Thoubans, R. Fabbro, H. Pepin et M. Chaker DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240100100100 RésuméPDF (818.6 KB)Références
Imagerie acoustique et modélisation dans les sédiments p. 1007 J. Bresson et R. Barriol DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240100100700 RésuméPDF (1.236 MB)Références
Conceptual design for an optoelectronic delay line p. 1019 J.P. Fabre, T. Gys, M. Primout et L. Van hamme DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240100101900 RésuméPDF (421.7 KB)Références
