Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. I. Etude du phénomène de compensation p. 973 A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni and P.N. Favennec DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010097300 AbstractPDF (1.465 MB)References
Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds p. 983 A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni and P.N. Favennec DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010098300 AbstractPDF (1.262 MB)References
High voltage RESURF LDMOS for smart power integrated circuits p. 993 G. Charitat, A. Nezar and P. Rossel DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019890024010099300 AbstractPDF (1.035 MB)References
Microlithography with a laser plasma X-ray source p. 1001 I. Thoubans, R. Fabbro, H. Pepin and M. Chaker DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240100100100 AbstractPDF (818.6 KB)References
Imagerie acoustique et modélisation dans les sédiments p. 1007 J. Bresson and R. Barriol DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240100100700 AbstractPDF (1.236 MB)References
Conceptual design for an optoelectronic delay line p. 1019 J.P. Fabre, T. Gys, M. Primout and L. Van hamme DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240100101900 AbstractPDF (421.7 KB)References
