Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 169-176 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002502016900

Dielectric properties of glassy Se80Te20 and Se 80Te10M10 (M = Cd, In and Sb)

R. Arora et A. Kumar

Department of Physics, Harcourt Butler Technological Institute, Kanpur - 208 002, India

Abstract
The temperature and frequency dependence of dielectric constant and loss is measured in glassy Se80Te20 and Se80Te 10M10 (M = Cd, In and Sb) in the temperature range 100 K to 330 K and the frequency range 120 Hz to 10 kHz. The dielectric constant and loss are independent of temperature and frequency at low temperatures (T < 200 K). However, at higher temperatures, strong dielectric dispersion occurs. The results are interpreted in terms of a dipolar model which considers the hopping of charge carriers over a potential barrier between charged defect states.

Résumé
La dépendance en température et en fréquence de la constante et des pertes diélectriques dans les verres Se80Te20 et Se80 Te10M10 (M = Cd, In et Sb) est mesurée dans la gamme de températures de 100 à 330 K et dans la gamme de fréquence de 120 Hz à 10 kHz. La constante et les pertes diélectriques sont indépendantes de la température et de la fréquence à basse temperature (T < 200 K). Cependant, à haute température, une forte dispersion diélectrique apparaît. Les résultats sont interprétés à l'aide d'un modèle dipolaire qui considère le saut des porteurs de charge à travers la barrière de potentiel entre niveaux de défauts chargés.

PACS
7720 - Dielectric permittivity.
7155H - Impurity and defect levels in other nonmetals.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.
6140D - Structure of glasses.

Key words
chalcogenide glasses -- defect electron energy states -- hopping conduction -- permittivity -- selenium compounds -- semiconductors -- temperature dependence -- Se sub 80 Te sub 10 M sub 10 -- frequency dependence -- dielectric constant -- dielectric dispersion -- dipolar model -- hopping -- charge carriers -- charge defect states -- 100 to 330 K -- 120 to 10000 Hz -- Se sub 80 Te sub 20 -- Se sub 80 Te sub 10 Cd sub 10 -- Se sub 80 Te sub 10 In sub 10 -- Se sub 80 Te sub 10 Sb sub 10