Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 859-865 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002508085900

Concept and processing of buried photomasks

J.P. Panabière, J.M. Francou, A. Weill, L. Guérin, P. Moschini, A. Inard, G. Amblard et F. Lalanne

CNET/CNS, BP98, 38243 Meylan Cedex, France

Abstract
A new method for fabricating photomasks is proposed. The mask is prepared by burying the absorbent patterns inside the transparent photoplate instead of depositing them on the surface of the photoplate. After imaging and etching trenches into the glass substrate, an absorbent material is set into them. Two different ways of filling in these holes are considered : planarisation and lift-off. Various advantages of this technique are expected, namely high resolution. This paper presents results obtained by vacuum contact printing of positive and negative novolak based photoresists exposed through buried masks.

Résumé
Une nouvelle méthode d'élaboration des photomasques est présentée. Au lieu de déposer les motifs géométriques sur la surface du substrat transparent, ceux-ci sont situés au fond de tranchées préalablement gravées dans le substrat transparent. Les tranchées sont définies par lithographie E-beam et gravure plasma RIE. Deux manières de les remplir sont envisagées : planarisation et lift-off. Les différents avantages du masque enterré sont analysés, et notamment la très haute résolution. Enfin ce papier se termine par l'illustration des capacités de transfert d'image d'un tel masque par lithographie en contact sous vide dans les résines novolaques.

PACS
2550G - Lithography semiconductor technology.
2570 - Semiconductor integrated circuits.

Key words
integrated circuit technology -- masks -- photoresists -- processing -- buried photomasks -- absorbent patterns -- transparent photoplate -- etching -- glass substrate -- planarisation -- lift off -- vacuum contact printing -- novolak based photoresists