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Article cité :

Laser modifications of Si(100) : Cl surfaces induced by surface melting: etching and cleaning

B. Bourguignon, M. Stoica, B. Dragnea, et al.
Surface Science 338 (1-3) 94 (1995)
https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)00518-8

Pulsed laser etching of silicon: Dopant profile modification and dopant desorption induced by surface melting

A. Desmur, B. Bourguignon, J. Boulmer, J.-B. Ozenne, J.-P. Budin, D. Débarre and A. Aliouchouche
Journal of Applied Physics 76 (5) 3081 (1994)
https://doi.org/10.1063/1.357490

Laser etching of silicon: Dopant desorption, diffusion and segregation during laser induced surface melting

A. Desmur, J.‐B. Ozenne, B. Bourguignon, et al.
Surface and Interface Analysis 22 (1-12) 27 (1994)
https://doi.org/10.1002/sia.740220109

Laser etching of silicon by chlorine: effect of post-desorption collisions and chlorine in-diffusion on the laser desorption yield

A. Aliouchouche, J. Boulmer, B. Bourguignon, et al.
Applied Surface Science 69 (1-4) 52 (1993)
https://doi.org/10.1016/0169-4332(93)90481-P

Comparison of Computed and Measured Temperature Distributions in the High‐pressure Liquid Encapsulated Czochralski (HPLEC) Configuration

K. Böttcher, P. Fuhrmann, B. Lux and J. Rauchfuss
Crystal Research and Technology 26 (7) 949 (1991)
https://doi.org/10.1002/crat.2170260726