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Evidence of minority carrier traps contribution in deep level transient spectroscopy measurement in n–GaN Schottky diode

S. Amor, A. Ahaitouf, Az Ahaitouf, J.P. Salvestrini and A. Ougazzaden
Superlattices and Microstructures 101 529 (2017)
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.011

Constant-resistance deep-level transient spectroscopy in Si and Ge JFET's

P.V. Kolev, M.J. Deen, J. Kierstead and M. Citterio
IEEE Transactions on Electron Devices 46 (1) 204 (1999)
https://doi.org/10.1109/16.737460

Averaging and recording of digital deep-level transient spectroscopy transient signals

P. V. Kolev, M. J. Deen and N. Alberding
Review of Scientific Instruments 69 (6) 2464 (1998)
https://doi.org/10.1063/1.1148975

Investigation of the CaF2/p-type Si(100) interface by conductance and deep level transient spectroscopy

G. Couturier, H. Ricard, A. Thabti, A.S. Barrière and H. Ishiwara
Solid-State Electronics 34 (8) 867 (1991)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(91)90233-O