Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S. E. Caquot, G. Guegan, M. Gamboa, H. Tranduc et P. RosselRev. Phys. Appl. (Paris), 15 9 (1980) 1445-1450DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019800015090144500
