Revue de Physique Appliquée

Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs

D. Etienne, N. Achargui et G. Bougnot

Rev. Phys. Appl. (Paris), 21 5 (1986) 299-303

DOI: 10.1051/rphysap:01986002105029900

D. Etienne

N. Achargui

G. Bougnot

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