Revue de Physique Appliquée

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Propriétés électroniques quasi-bidimensionnelles de couches épitaxiales de GaAs à dopage δ

D. Lavielle, J.C. Portal, M. Stohr, S.P. Najda, A. Briggs, G. Gillmann, P. Bois, E. Barbier et B. Vinter

Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 5 (1989) 539-543

DOI: 10.1051/rphysap:01989002405053900

D. Lavielle

J.C. Portal

M. Stohr

S.P. Najda

A. Briggs

G. Gillmann

P. Bois

E. Barbier

B. Vinter

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