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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 9, Number 2, mars 1974
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| Page(s) | 373 - 376 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0197400902037300 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 373-376 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400902037300
Département de Physique des Matériaux , Université Claude-Bernard, Lyon I, France
0780 - Electron and ion microscopes and techniques.
2390 - Electron and ion microscopes.
2560 - Semiconductor devices.
Key words
dislocations -- semiconductor diodes -- semiconductors -- induced mode -- intrinsic dislocation contrast -- planar structure -- diffusion process decoration -- SEM
DOI: 10.1051/rphysap:0197400902037300
Observations dans les semiconducteurs à l'aide du mode induit
R. Chirat et G. FontaineDépartement de Physique des Matériaux , Université Claude-Bernard, Lyon I, France
Abstract
Short discussion of an experiment to detect an intrinsic dislocation contrast in planar structure. Unfortunately, a negative result do not give a clear cut answer to the question to know if the contrast generally observed is due to a decoration in the diffusion process.
Résumé
On discute de difficultés rencontrées dans un essai de mise en évidence d'un contraste intrinsèque dû aux dislocations d'une structure planar. Il semble bien en effet que les contrastes généralement observés soient dus à une décoration des dislocations lors du processus de dopage par diffusion.
0780 - Electron and ion microscopes and techniques.
2390 - Electron and ion microscopes.
2560 - Semiconductor devices.
Key words
dislocations -- semiconductor diodes -- semiconductors -- induced mode -- intrinsic dislocation contrast -- planar structure -- diffusion process decoration -- SEM