Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 231-236 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001401023100

Conversion photovoltaïque dans Cu2O

M. Tapiero, C. Noguet, J.P. Zielinger, C. Schwab et D. Pierrat

Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide Université Louis-Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France

Abstract
Cu/Cu2O and Cu2O/Cu junctions have been investigated for low cost photovoltaic solar energy conversion. The best conditions found for the formation of frontwall (deposition of Cu by evaporation or sputtering) and backwall (Cu partially oxidized) cells as well as the means to lower the series resistance, are described. Current-voltage characteristics give barrier heights always near 0.7 V and, depending to the mode of preparation, n-values of about 3 or 6 : this implies the existence of interfacial states. The limited cell performances are attributed to inhomogeneities in the junctions and to the low value of the measured diffusion length (1 to 2 μm).

Résumé
La conversion à bas prix de l'énergie solaire par des jonctions Cu-Cu 2O, est envisagée. Les meilleures conditions trouvées pour la fabrication des cellules frontales (évaporation ou pulvérisation de Cu) et des cellules dorsales (oxydation partielle) ainsi que les moyens d'abaisser la résistance série sont décrits. Les caractéristiques I-V montrent que la hauteur de la barrière est toujours voisine de 0,7 V, mais que le facteur n est de l'ordre de 3 ou de 6 selon le mode de fabrication, ce qui traduit l'existence d'états interfaciaux. Les performances limitées sont attribuées à l'inhomogénéité des jonctions et à la faible valeur mesurée (1 à 2 μm) de la longueur de diffusion.

PACS
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
copper compounds -- solar cells -- Cu sub 2 O -- photovoltaic solar energy conversion