Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 719-726 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018011071900

Etude théorique et expérimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction

A. Cappy, A. Vanoverschelde, J. Zimmermann, P. Philippe, C. Versnaeyen et G. Salmer

Centre Hyperfréquences et Semiconducteurs , U.E.R. d'I.E.E.A., Bât. P4, Université des Sciences et Techniques de Lille I, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France

Abstract
The electron dynamics in a two dimensional electron gas is studied by the Monte-Carlo procedure. GaAs/GaAlAs and GaInAs/InP heterojunctions are considered. The results of these simulations are then used in a theoretical TEGFET model. A comparison between TEGFET and conventional FET is carried out for two possible applications : low noise amplifier and DCFL circuits. An intrinsic superiority of TEGFET is pointed out.

Résumé
La dynamique des électrons dans un gaz bidimensionnel est étudiée par la méthode de Monte-Carlo. Les hétérojonctions envisagées sont GaAs/GaAlAs et GaInAs/InP. Ces résultats sont alors utilisés pour une modélisation du transistor à hétérojonction (TEGFET). Une comparaison de cette structure avec le TEC conventionnel est effectuée dans les deux applications suivantes : l'amplification faible bruit et les circuits logiques à couplage direct. Une supériorité intrinsèque du TEGFET dans chacune de ces applications est mise en évidence.

PACS
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2530B - Semiconductor junctions.
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560S - Other field effect devices.

Key words
aluminium compounds -- field effect transistors -- gallium arsenide -- indium compounds -- Monte Carlo methods -- p n heterojunctions -- semiconductor device models -- direct coupled FET logic circuits -- GaAs GaAlAs heterojunction -- III V semiconductor -- electron dynamics -- two dimensional electron gas -- Monte Carlo procedure -- GaInAs InP heterojunctions -- theoretical TEGFET model -- low noise amplifier -- DCFL circuits